刻蚀设备:NE-950EX

在高真空条件下,通过RF高频放电,产生等离子体,在偏压的作用下,通过物理和化学的作用,对特定的材料去除。蚀刻材料:金属,GaN,In P,SiO2,Si ,Polymide 等材料。Load –lock 式,全自动控制,专利ISM电极,均匀性高,安定性好,构造简单,维护简便。

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0512-86669111-8033(张小姐)
13913550251(沈先生)



产品特性 / Product characteristics



• 4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理

• 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源

• 高生产性(比以前提高140%)

• 为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极

• 彻底贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件

• 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)

• 丰富的可选机能



产品应用 / Product application



• 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备


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