刻蚀设备:INE-3085

面向LED、Powerdevice、MEMS等诸多领域开发,搭载静电吸附系统,采用更大的静电托盘,较常规设备拥有更高的刻蚀速率和更大的产能。同时搭载ULVAC专利的ISM电极及Star电极,有更高的等离子体密度,同时拥有更低的电子温度,有效抑制刻蚀损伤及温升。

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13913550251(沈先生)



产品特性 / Product characteristics



• 4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理

• 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源

• 高生产性(比以前提高140%)

• 为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极

• 彻底贯彻Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件

• 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)

• 丰富的可选机能



产品应用 / Product application



• 对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备


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